VLev
С 90нм для NetBurst как раз получилось не очень хорошо.
а кто мешает повториться ситуации с ,18 и ,13? ведь и там для 0,18 было вставлено намного больше, чем смог вытянуть 0,18 техпроцесс. Для меня также очевидно, что преимущества 0,09 просто не смогли вытянуть того, что в прессе набабахали архитекторы.
хотя бы токи учечки
знаете, если честно, мне кажется "токи утечки" это такой же трюк как и "перезагрузка длинного конвейера". И ссылка на ИБМ тоже в это вписывается — повер5 стал намного сложнее чем повер4. И если у АМД получиться достичь 3 ггц на 0,09 — то как раз это и будет подтвержденим этого: 2 примера когда нет существенного усложнения ядра (РМ, К8 ) и сильное усложнение (нетберст, Р5).
В том-то и дело, что XE один такой. Зачем ему "соратники"?
он один в своем сегменте, а в сегменте "цифрового дома" (забыл к сожалению его название от интела) — будет как раз "чудо".
вот и спрашиваю, собственно, как будут выставлены цены на эти линейки?
как угодно. тут интел будет больше маркетингом руководствоваться.
Зато знаем, когда закончили 90nm.
так в принципе это не связанные вещи. понятно что надо окупить 0,09, но когда петух клюнет....

ISA_user писал(а):

---

а кто мешает повториться ситуации с ,18 и ,13?

---

Природа, физика. Кроме того, оптическая литография давно себя исчерпала, а другой пока нет.

Для меня также очевидно, что преимущества 0,09 просто не смогли вытянуть того, что в прессе набабахали архитекторы.
Это-то ясно, но dual-core Pres от обычного Pres-а мало чем отличается.

знаете, если честно, мне кажется "токи утечки" это такой же трюк как и "перезагрузка длинного конвейера".
Не, почему? Токи утечки --- это реальность, и их учитывают давным-давно, и также известно, что чем тоньше техпроцесс, тем больше их доля. Так что чем дальше, тем хуже будет в этом отношении...

2 примера когда нет существенного усложнения ядра (РМ, К8 ) и сильное усложнение (нетберст, Р5).
Да я-то не спорю с этим. Только вот существенного (в разы) увеличения частоты пока нигде получить не удалось.

VLev
Природа, физика.
какая к черту природа и физика, когда транзисторов стало в 2 раза больше, а самые горячие области еще и поменяли логику. Нет в таком случае никаких способов для нас проверить разговоры про "токи утечки".
Кроме того, оптическая литография давно себя исчерпала
мне кажется что это не так. Да и что значит "давно"? И опять же для каких областей в кристалле? Насколько я знаю максимум 2 слоя в кристалле имеют минимальный размер – все остальные как правило в разы больше.
dual-core Pres от обычного Pres-а мало чем отличается
1. он не будет майнстримом. А что будет майнстримом, так это скорее всего просто тупо переразведенный под 0,065 прес2, ну возможно еще кэш увеличат...
2. да ничем, но гнаться он на 0,065 будет все-таки лучше по частое. если опять не поменяют логику и архитектуру.
Не, почему? Токи утечки --- это реальность, и их учитывают давным-давно, и также известно, что чем тоньше техпроцесс, тем больше их доля. Так что чем дальше, тем хуже будет в этом отношении...
я не говорю что это нереальность. Я говорю, что когда транзисторов стало в 2 раза больше, появилась более греющаяся и жрущая логика и увеличились токи утечки в связи с уменьшением тех процесса — я не верю что основная проблема — это токи утечки, при этом частота все равно поднялась практически на 20%.
Только вот существенного (в разы) увеличения частоты пока нигде получить не удалось
а в разы то никогда и не было.

ISA_user писал(а):

---

> Кроме того, оптическая литография давно себя исчерпала
мне кажется что это не так. Да и что значит "давно"?

---

Как раз с тех пор, когда половина длины волны источника света стала больше минимальной линейной длины элемента.
Это где-то 0.18мкм.
Я немного знаком с основной причиной сложившейся ситуации --- природа устроена так, что для нужной сейчас области спектра (это уже ультрафиолет) отсутствуют "удобные" для производственных целей (достаточно мощные, стабильные и проч.) источники.

И опять же для каких областей в кристалле? Насколько я знаю максимум 2 слоя в кристалле имеют минимальный размер – все остальные как правило в разы больше.
Больше, но это все соединения. Транзисторы должны иметь минимальный размер. Иначе все бесполезно.

я не говорю что это нереальность. Я говорю, что когда транзисторов стало в 2 раза больше, появилась более греющаяся и жрущая логика и увеличились токи утечки в связи с уменьшением тех процесса — я не верю что основная проблема — это токи утечки, при этом частота все равно поднялась практически на 20%.
Одно (увеличение числа транзисторов и т.п.) другому (что токи утечки --- основная проблема) не противоречит.
Кстати, может, и не основная (по-моему, ожидали где-то ~20% для 90nm), но все равно это явно паразитная часть потребления, и, скорее всего, плохо учитываемая.

а в разы то никогда и не было.
Почему? Последние 20 лет, в среднем, в 2 раза. Техпроцессы сменялись 7 раз (от 1мкм), а частота выросла раз в 150 (от 20MHz), 2**7<150).

ISA_user
какая к черту природа и физика, когда транзисторов стало в 2 раза больше, а самые горячие области еще и поменяли логику. Нет в таком случае никаких способов для нас проверить разговоры про "токи утечки".
Кстати, нашел старый pdf, времен 0.18 микронного процесса... Так там было про LVS логику.... Интересно, а она точно поменялась?

VLev
Это где-то 0.18мкм.
но тогда явный успех с 0,13 и 0,09 (дотан) не укладывается в этот. Более того я помню цифру 0,01.
Поиск по яндексу пределы оптической литографии и например ссылка по результатам данного поиска http://www.scientific.ru дает 0,0120
Транзисторы должны иметь минимальный размер. Иначе все бесполезно.
не, только затворы:)
Одно (увеличение числа транзисторов и т.п.) другому (что токи утечки --- основная проблема) не противоречит.
это разные причины "неуспеха". Вы же использовали только одну: токи утечки. А если бы не было остальных это был бы "успех" или "неуспех" мы ведь сказать не можем.
Кстати, может, и не основная (по-моему, ожидали где-то ~20% для 90nm),
надо бы найти время и прочитать что в "той" статье на ибм по этому поводу говориться.
Последние 20 лет, в среднем, в 2 раза. Техпроцессы сменялись 7 раз (от 1мкм), а частота выросла раз в 150 (от 20MHz), 2**7<150).
а если сравнить скажем только нетберст — так проще то 2 ГГЦ при смене техпроцесса с добавлением меди и еще одного слоя вырос всего в 1,6 раза.
Почему нетберст — потому, что архитектура одинакова и не надо ее учитывать в подстчете.
matik
Кстати, нашел старый pdf, времен 0.18 микронного процесса... Так там было про LVS логику.... Интересно, а она точно поменялась?
а давайте пдфпочтаем и интел спросим:)

ISA_user
а давайте пдфпочтаем и интел спросим
Там нет подробных указаний на конкретный техпроцесс...
А Интел... Опять начнут сказки рассказывать

matik
блин пришли файл:)

ISA_user
блин пришли файл
дай дойти домой, да?

ISA_user писал(а):

---

но тогда явный успех с 0,13 и 0,09 (дотан) не укладывается в этот.

---

Не, успех-неуспех тут не очень при чем.
С помощью всяких технологических ухищрений проблему отсутствия источников так или иначе обходят, используя более длинноволновые. Но из-за того, что это именно ухищрения, возможны всякие проблемы, какие именно я не знаю, но они есть.

Более того я помню цифру 0,01. Поиск по яндексу...
Это дальний ультрафиолет. С длиной волны сразу в несколько раз меньше от современных. Intel им давно занимается. Недавно вроде показывал установку работающую. Но, по планам, насколько я помню, начнут ее применять не раньше 2006 года. В качестве альтернативы предлагалась еще электронная литография.
А под оптической литографией я имел в виду именно видимый свет. То есть источники тех установок, что есть сейчас. Проблема именно с ними связана. С ультрафиолетом этой проблемы быть не должно. Может, будут другие.

это разные причины "неуспеха". Вы же использовали только одну: токи утечки. А если бы не было остальных это был бы "успех" или "неуспех" мы ведь сказать не можем.
Я "использовал" лишь тот факт, что токи утечки растут с уменьшением размеров транзистора. Причем типа экспоненциально. Потому, при прочих равных, на 65нм техпроцессе будет только хуже.
А "остальные" у Pres как были, так и останутся. Что, транзисторов половину уберут? Вместо дифференциальной логики статическую сделают? Ну так это уже на Pres будет.
Откуда ждать глобального улучшения? Ну, напряжение снизится чуть. Еще что-то?

а если сравнить скажем только нетберст — так проще то 2 ГГЦ при смене техпроцесса с добавлением меди и еще одного слоя вырос всего в 1,6 раза.
Так на NetBurst-то проблемы и вылезли, потому что он самый высокочастотный. Остальные четь позже с этим столкнулись или еще столкнутся. Впрочем, проблема давно была известна. Точные рамки известны не были.

VLev
возможны всякие проблемы, какие именно я не знаю, но они есть.
проблемы есть всегда, даже без ухишрений:(
В качестве альтернативы предлагалась еще электронная литография.
ну эта вообще штука пока более теориттическая — слишком медленная для массовых производств.
А под оптической литографией я имел в виду именно видимый свет.
у нее тоже не было порога в 0,18
Я "использовал" лишь тот факт, что токи утечки растут с уменьшением размеров транзистора.
но не укзали "вес" этого факта в неуспехе 0,09, а значить даже если он растет экспоненциально мы не можем понять сколько он даст на 0,065.
Потому, при прочих равных, на 65нм техпроцессе будет только хуже.
но прочих равных — то не будет;) и у интела идеть развитие расянутого кремния и они новые диэлектрики собрались применять.
А "остальные" у Pres как были, так и останутся. Что, транзисторов половину уберут? Вместо дифференциальной логики статическую сделают? Ну так это уже на Pres будет.
странно когда ты перескакиваешь с технологических проблем на архитектурные и обратно не обращая внимание на другие моменты
Еще что-то?
прессу про технологии читать надо, мой друг
1. так называемые «спящие» транзисторы, которые имеют намного меньший ток утечки, чем нынешние. Их применение позволит снизить потребление энергии на 10-20%.
2. Специалисты корпорации Intel экспериментально доказали, что применение предложенных новых материалов способно снизить ток утечки более чем в 100 раз
все данные от самой интел

http://www.ixbt.com/editorial/intel-65nm.shtml тоже кое-что есть. Так что прочих равных как всегда не будет. Их ни у кого не будет;)

ISA_user писал(а):

---

прессу про технологии читать надо, мой друг

---

Вт именно. всем читать http://www.ixbt.com/editorial/itogi/itogi2k4-dec.shtml

VLev

Цитата:

---

Вт именно. всем читать

---

Мне кажется, что ты сам невнимательно читал:
Сообщается, что в 65-нм технологических процессах Intel используется второе поколение одноосных каналов напряженного кремния (uniaxial strained silicon channels) с высоким содержанием атомов германия в выборочно нанесенных слоях SiGe (в районах истока и стока полевых транзисторов PFET). Дополнительно, вместо нитрида кремния (SiN), примененного в 90-нм чипах, был использован карбид кремния (SiC)
ну так как, вы сами для себя смогли ответить на свой вопрос: Еще что-то?

ISA_user писал(а):

---

Мне кажется, что ты сам невнимательно читал:

---

Я в своем призыве "всем читать" себя имел в виду далеко не в последнюю очередь

Сообщается, что в 65-нм технологических процессах Intel используется второе поколение одноосных каналов напряженного кремния (uniaxial strained silicon channels) с высоким содержанием атомов германия в выборочно нанесенных слоях SiGe (в районах истока и стока полевых транзисторов PFET). Дополнительно, вместо нитрида кремния (SiN), примененного в 90-нм чипах, был использован карбид кремния (SiC)
Замечательно! Осталось только убедиться, что это действительно приведет к улучшениям, например, к уменьшению потребления, а не просто к уменьшению линейных размеров.

Цитата:

---

Я в своем призыве "всем читать" себя имел в виду далеко не в последнюю очередь

---

извини, если грубо сказал

Цитата:

---

Осталось только убедиться, что это действительно приведет к улучшениям, например, к уменьшению потребления, а не просто к уменьшению линейных размеров

---

SiC действительно уменьшает токи утечки. напряженный кремний второго поколения (да и по словам ИБМ и АМД) на том же тех процессе или уменьшает потребление на 20% или на столько же увеличивает быстродействие.
Кроме того есть "спящие транзисторы". Хотя интел это давно в РМ использует, только называет по другому:)

Но согласен — это все теория — надо дождаться живых экземпляров процов выполненых на данной технологии.

Trends and Challenges in High-Performance Microprocessor Design (Intel)
www.eda.org/edps/edp04/submissions/presentationRusu.pdf

matik
Кстати, нашел старый pdf, времен 0.18 микронного процесса... Так там было про LVS логику.... Интересно, а она точно поменялась?
Так док по LVS logic у интела для Р4 (90нм) доступен, так что можно и сравнить.

VLev
токи утечки растут с уменьшением размеров транзистора. Причем типа экспоненциально. Потому, при прочих равных, на 65нм техпроцессе будет только хуже.
Было бы экспоненциально, если только использовать прежние материалы вкупе с прежними подходами, а ведь этого у интела на 65нм не наблюдается:

Цитата:

---

For this 65nm technology, we use 1.2nm SiON gate oxide, which is not scaled from the Intel previous 90nm Technology in order to avoid an increase in gate oxide leakage. Maintaining constant gate oxide thickness while scaling gate length to 35nm provides ~20% reduction in gate capacitance, a significant factor in improving performance and reducing active power. Transistor drive currents are increased by means of ultra-shallow junctions and enhanced channel strain. Interconnect density and performance are improved with an added thick interconnect layer and by use of a low-k carbon-doped oxide layer and a lower-k etch stop layer for low capacitance, and Cu interconnect for low resistance. 193nm lithography combined with APSM mask technology enables aggressive design rule scaling

---

+ добавили еще один металслой, так что возможно у них будет более-менее плавный переход. ИМХО.

ISA_user
так называемые «спящие» транзисторы, которые имеют намного меньший ток утечки, чем нынешние. Их применение позволит снизить потребление энергии на 10-20%.
btw, у интела есть еще концепция PARROT, нацеленная на повышения IPC с одновременным энергоснижением. В рунете, правда, ничего про эту технологию, к сожалению, вроде бы нет. А вот на англ. понятно док есть. Вряд ли они конечно внедрят его уже в прес, но на предстоящие проекты скорее всего.

U2
Так док по LVS logic у интела для Р4 (90нм) доступен, так что можно и сравнить
Угу Если б хоть в одном из них было что-то конкретное, что можно сравнивать

U2 писал(а):

---

For this 65nm technology, we use...

---

Все это замечательно, и дай Бог, чтобы получилось.
Однако мне это несколько напоминает тришкин кафтан.
Я к чему все это говорю? Раньше новый техпроцесс означал:
1. уменьшение себестоимости чипа
2. увеличение частоты
3. уменьшение тепловыделения
Причем, все это одновременно.
При переходе 130нм->90нм п.2 вступил в противоречие с п.3.
Проблемы с литографией и использование новых материалов минимум ставят под сомнение п.1.

U2

Цитата:

---

интела есть еще концепция PARROT

---

ничего не слышал по данному поводу
VLev

Цитата:

---

При переходе 130нм->90нм п.2 вступил в противоречие с п.3.

---

стоп. Ваша неправда говорить: этот пункт сработал для к8, ПентиюмМ, похоже он даже сработает для итаниума (при увеличении количества транзисторов). Вариант с прескотом я думаю выбился все-таки из-за явно большего количества транзисторов. Может все-таки спящий вандерпул тоже добавил свою часть (интересно будет посмотреть на быстродействия отдельных виртуальных машин).

ISA_user писал(а):

---

стоп. Ваша неправда говорить:

---

Немного я передернул, конечно, но, боюсь, неправду не сказал.
этот пункт сработал для к8,
Пока не сработал п.2. Даже если и сработает, то вряд ли радикально. Раза в 1.5 максимум IMHO.
ПентиюмМ
Dothan действительно смотрится лучше всех, но в основном из-за того, что Banias ускорить никто и не пытался IMHO... К тому же, формально он не удовлетворяет п.1 (из-за кэша). Да и потребление не то чтобы радикально меньше. TDP по крайней мере 27W.
Вариант с прескотом я думаю выбился все-таки из-за явно большего количества транзисторов.
Да, но производительности они ему не прибавили.
Еще можно Power-ы вспомнить, где тоже все не гладко.

VLev
Пока не сработал п.2. Даже если и сработает, то вряд ли радикально. Раза в 1.5 максимум IMHO.
давайте определяться: или сработал или нет и без разницы в 2 или в 1,1. А вот величину "срабатывания" уже можно и пообсуждать.
Dothan действительно смотрится лучше всех, но в основном из-за того, что Banias ускорить никто и не пытался IMHO... К тому же, формально он не удовлетворяет п.1 (из-за кэша). Да и потребление не то чтобы радикально меньше. TDP по крайней мере 27W.
1. я баньяс сам могу гнать — но он действительно не гониться нифига.
2. он (несмотря на увеличение кэша) при большей частоте имеет не большее TDP. Более того есть модели и с 1м кэша.
3. что есть "радикально"?
Да, но производительности они ему не прибавили.
если у них там что-то еще есть — то значит, они может и не ставили задачу повышения производительности — вон и ибм ставит задачу насыщения "фичами" систем, а не только голую производительность.

ISA_user
PARROT

VLev
Раньше новый техпроцесс означал:
Да, но если действительно взять к примеру К8, то наверно только п.2 можно к нему отнести, да и то относительно. У Р4 не срабатывают п.2 и 3. Ну а с п.1 по большому счету проблем никаких.

В какой то степени будет более правильным признать не совсем удачный дизайн, чтобы все сработало.

А как насчет LV-версий? Может не все так и плохо …

ISA_user
вон и ибм ставит задачу насыщения "фичами" систем, а не только голую производительность.
Либо вглубь, либо вширь. А если рыбку … то тут уже другие подходы требуются.

ISA_user писал(а):

---

давайте определяться: или сработал или нет и без разницы в 2 или в 1,1... что есть "радикально"?

---

Зачем себя так ограничивать? Новый техпроцесс --- это не самоцель, нужны практические улучшения, реальные улучшения, а не 10%, так как деньги вкладываются в это немаленькие.
И не зря нормы техпроцесса меняют не абы как, а с шагом sqrt(2) --- это обеспечивает улучшение основных характеристик в 2 раза. Это я и называю "радикально". Если в 2 раза не получилось (а хотелось), считаю, что переход не удался. Если и не хотелось, то, может, не стоило и затевать?
1. я баньяс сам могу гнать — но он действительно не гониться нифига.
Ну, не знаю. Зато знаю, что P-III на 180нм дошел до 1GHz, а на 130нм --- всего лишь до 1.5 вместо "положенных" 2. Оттуда и запасец образовался, "выбираемый" сейчас.
2. он (несмотря на увеличение кэша) при большей частоте имеет не большее TDP. Более того есть модели и с 1м кэша.
IMHO:
1. лишний кэш в такой архитектуре приводит к уменьшению среднего потребления, а не к увеличению.
2. ядер с 1M кэша нет
если у них там что-то еще есть — то значит, они может и не ставили задачу повышения производительности — вон и ибм ставит задачу насыщения "фичами" систем, а не только голую производительность.
В Pres ставили --- это ясно. И ясно, что не вышло. Про "фичи" --- отдельный разговор. Однако сейчас самая важная "фича" IMHO: низкое потребление при средней производительности. Именно этого-то в Pres и нет.

U2 писал(а):

---

Ну а с п.1 по большому счету проблем никаких.

---

Пока --- нет. Но именно это возможно, станет следующей проблемой. По крайней мере предсказывется. Ну и однозначно станет проблемой в случае экономических кризисов, если норму прибыли производителей заставят снизить до единиц процентов.

А как насчет LV-версий? Может не все так и плохо …
Индивидуальное изменение напряжения --- это тот резерв, который раньше просто не использовался. Сейчас используется. Вот и все. Сейчас --- это хорошо, а вот на завтра надо искать новые, пока не использованные резервы.

VLev
Зато знаю, что P-III на 180нм дошел до 1GHz, а на 130нм --- всего лишь до 1.5 вместо "положенных" 2. Оттуда и запасец образовался, "выбираемый" сейчас.
Брр... Погоди! Но уменьшение геометрических норм в 1.4 раза никогда не увеличивало частоту вдвое...
Если сомневаешься, вспомни: PIII-600B Slot 1, старший процессор (из-за внешнего кэша, с отключенным гнались более 700МГц). Копермайн с трудом добрел до 1.13CHz (позднее появился и 1.2, но это скорее исключение). PIII-S 1.4 разгонялся уже не очень хорошо, 1.6ГГц с трудом.

То есть, не техпроцесс ограничивал Р6 архитектуру.

matik писал(а):

---

Брр... Погоди! Но уменьшение геометрических норм в 1.4 раза никогда не увеличивало частоту вдвое...

---

Я уже считал тут где-то. В среднем за 7 последних смен норм техпроцессов чуть больше, чем вдвое.

Цитата:

---

То есть, не техпроцесс ограничивал Р6 архитектуру.

---

Больше похоже на удобный для оправдания NetBurst миф.

VLev
нужны практические улучшения, реальные улучшения, а не 10%
на самом деле, 10% — это уже ДАВНО большая прибавка в быстродействии.
Это я и называю "радикально". Если в 2 раза не получилось (а хотелось), считаю, что переход не удался. Если и не хотелось, то, может, не стоило и затевать?
в 2 раза уже давно нет — получается, что и 0,13 был неудачным. Более того, 0,09 ведь тоже еще не отыграл — в продаже по есть только его первая реинкарнация.
Ну, не знаю.
а вы мне просто не верьте — так же лучше общаться.
Оттуда и запасец образовался, "выбираемый" сейчас.
у народа этот запасец позволяет до 2,7 гнать.
1. лишний кэш в такой архитектуре приводит к уменьшению среднего потребления, а не к увеличению.
а обосновать?
ядер с 1M кэша нет
целероны М
В Pres ставили --- это ясно.
а как вы догадались?

VLev

Цитата:

---

В среднем за 7 последних смен норм техпроцессов чуть больше, чем вдвое.

---

а может не за 7 подсчитать а за 3 последних?
Более того при подсчте всех 7 — были разные архитектуры, поэтому я такой подсчет отвергаю.

VLev
Я уже считал тут где-то. В среднем за 7 последних смен норм техпроцессов чуть больше, чем вдвое.
Мммм Кто-то "жохает" © Иваси.
Потому как чистого сравнения не было. То сделали кэш внешним на половинной частоте. То сделали его опять на кристалле. То внедрили медь. Как бы там ни было, но чистого уменьшения только геометрических норм я не припомню. Всегда было что-то еще.

Больше похоже на удобный для оправдания NetBurst миф.
Нашел сторонника NetBurst
Не, думаю, правда. Например, помню ситуацию с гигагерцовым Р6. Он, даже не перегреваясь особо (охлаждал жидкостью), просто не заводился на более высоких частотах. Думаю, таки какие-то ограничения были.

ISA_user писал(а):

---

на самом деле, 10% — это уже ДАВНО большая прибавка в быстродействии.

---

Не согласен. Даже в частоте пока больше. Ну а производительность можно и другими методами повышать. Надеюсь, и не будет такого.
в 2 раза уже давно нет — получается, что и 0,13 был неудачным.
Я уже писал: проблемы с литографией начались именно с него. Хотя за счет введения NetBurst увеличение частоты прошло более чем успешно. Однако это оказалось бомбой замедленного действия.
а вы мне просто не верьте — так же лучше общаться.
Ну хорошо, тогда вопрос по существу: Проводилось ли исследование, что именно не позволяет разогнать?
у народа этот запасец позволяет до 2,7 гнать.
правильная цифра. соответствует очень грубым прикидкам.
а обосновать?
Да статический он. Пока обменов нет, вообще ничего не потребляет. И на блоки разбит. Потому расход энергии на один обмен от размера не зависит. Да и вообще мало потребляет, обмен по шине дороже. Соответственно, чем больше процент попаданий (из-за большего размера), тем меньше потребление.
целероны М Что, есть такое ядро? IMHO, ядро то же.

VLev
Да статический он. Пока обменов нет, вообще ничего не потребляет
Не в том случае, если есть значительные токи утечки. Тем тогда вообще все равно.

Соответственно, чем больше процент попаданий (из-за большего размера), тем меньше потребление.
Ага. И тем меньше простой исполнительных блоков процессора. Тем выше производительность процессора. И что-то мне подсказывает, что суммарное тепловыделение вырастет. Хотя потребление кэша + шины может и уменьшиться.

matik писал(а):

---

Мммм Кто-то "жохает" © Иваси.... Всегда было что-то еще.

---

Ну уж не я.
На самом деле "что-то еще" было как раз основным.
Рост частоты никогда (по крайней мере до NetBurst) не был самоцелью. Она была относительно бесплатным приложением к архитекутрным улучшениям. Потому производительность росла еще быстрее частоты.

VLev
Проводилось ли исследование, что именно не позволяет разогнать?
нет были только догадки
как и в случае (как указал матик) с 1 ГГЦ Р!!!. Его охлаждали хорошо, а он не гониться.
правильная цифра. соответствует очень грубым прикидкам.
при этом баньяс до 2 не догонялся в большинстве своем.
Пока обменов нет, вообще ничего не потребляет.
а как же утечки? Ведь вы недавно говорили, что они основной вклад в потреблении при 0,09. Более того, он был статическим и разбитым на блоки и в баньясе. кстати, а почему К тому же, формально он не удовлетворяет п.1 (из-за кэша)
IMHO, ядро то же.
а никто толком не знает. но раз он отключен — то он и не жрет (по ТТХ видно).

matik

Цитата:

---

Соответственно, чем больше процент попаданий (из-за большего размера), тем меньше потребление.
Ага. И тем меньше простой исполнительных блоков процессора. Тем выше производительность процессора. И что-то мне подсказывает, что суммарное тепловыделение вырастет. Хотя потребление кэша + шины может и уменьшиться.

---

VLev
Рост частоты никогда (по крайней мере до NetBurst) не был самоцелью. Она была относительно бесплатным приложением к архитекутрным улучшениям. Потому производительность росла еще быстрее частоты.
Ну, с этим я никогда не спорил Просто выгоднее увеличивать оба множителя в формуле "производительность=частота х IPC", чем один. Весь вопрос в том, как долго можно увеличивать каждый из множителей.

С частотой относительно разобрались. С текущей схемотехникой — порядка 4ГГц для массовых кристаллов. Порядка 7- 8ГГц при использовании LVS схем (и диком тепловыделении).
Осталось разобраться с IPC.
В качестве верхней границы предлагаю считать IPC Итаниума (потому как для х86 процессоров такой IPC пока недоступен).
Все равно логика вряд ли сумеет выдавить из кода больше, чем сумел компилятор.

matik

Цитата:

---

Порядка 7- 8ГГц при использовании LVS схем

---

интересно а если на ЛВС перевести дотан, то на какой частоте при 130 ватах рассеивания он работать сможет?

Цитата:

---

потому как для х86 процессоров такой IPC пока недоступен

---

а вот интересно ПОКА или никогда.

ISA_user
Думаю, пока. Потому как один из методов его повышения C@t описывал, если помнишь.

Если сильно увеличить окно ОоО, то его результативность сильно повышается. Поэтому, теоретически, сделав очереди большими по размерам, удастся загрузить процессор намного эффективнее.

Соответственно, средний IPC будет приближаться к числу конвейеров. Ну а это число увеличить можно.

В конце концов, Итаниум выиграл на первом "марш-броске", поскольку у него была более хорошая позиция для старта.
Нет проблем с совместимостью, нет заранее никаких ограничений, кроме схемотехнических.
Но теперь у каждого следующего поколения будет висеть над головой "Дамоклов меч" — совместимость с предыдущими поколениями Итаниума.
Соответственно, и "бежать" станет сложнее.

Цитата:

---

Если сильно увеличить окно ОоО, то его результативность сильно повышается.

---

как я понимаю не на любом коде. Да и как его сильно увеличить без уменьшения частотного потенциала?

Цитата:

---

Итаниум выиграл на первом "марш-броске",

---

если быть точным — то на втором;)

Цитата:

---

Но теперь у каждого следующего поколения будет висеть над головой "Дамоклов меч" — совместимость с предыдущими поколениями Итаниума.

---

да, но у них есть возможность увеличивать слова в 2,4 раза чтобы на старом коде не проигрывать с одновременным увеличение числа ФУ