Конференция работает на сервере Netberg

Radeon.ru

Конференция Radeon.ru

Страница 2 из 2 [ Сообщений: 61 ]  На страницу Пред.  1, 2
Asmodeus
Модератор


Сообщения: 4854
Откуда: Samara, Russia.

Репутация: 56
Итог — оптимизация и многопоточность, как наиболее вероятный путь развития. В оптимизацию ПО на старом железе, как в выход мне почему-то уже не верится — просто никто этого делать не будет в уже сложившейся системе, хотя и жаль.

Однако, подождём свежих новостей по теме. Переименовывать из-за флейма её не вижу смысла — тема имеет смысл и затрагивает важные вопросы. Если только разделить и половину отправить в раздел "ПО".

U-Nick
KSP
Спасибо за полезные данные и ссылки по теме. :up: :beer:
Asmodeus
Модератор


Сообщения: 4854
Откуда: Samara, Russia.

Репутация: 56
Вот уже и первые ласточки в переходе на другие материалы наблюдаются. Думается мне, что в секторе СPU и GPU переход не в таком уж далёком будущем будет.

Freescale освоила технологию GaAs MOSFET.

Источник — http://3dnews.ru
IdeaFix
Постоянный участник


Сообщения: 7083

Репутация: 5
хм... да банально память с кмопа перевести... представьте что у вас гигабайт памяти сос коростью кэша:) Дороговато правда, и напруги будет есть как кондиционер (или плита) но всётаки выход....
Asmodeus
Модератор


Сообщения: 4854
Откуда: Samara, Russia.

Репутация: 56
IdeaFix А почему напруга так увеличится, если энергопотребление и тепловыделение существенно ниже при использование GaAs технологии? ИМХО, как раз практически компенсируется.
IdeaFix
Постоянный участник


Сообщения: 7083

Репутация: 5
Asmodeus
Память у нас щас какая? на полевых транзисторах... тока они практически не жрут. Посчитайте, каково колличество транзисторов в палке памяти на 256 мегабайт из учёта что на 1 бит приходится один триггер? 512 миллионов. Если я ничё не путаю. Представьте себе, как на самом мовременном техпроцессе "обычные" транзисторы в таком колличестве будут греться и потреблять? А если память с кмоп перевести на "обычные", то производительность безусловно повысится... да и... энергопотребление возрастёт... в разы... в десятки раз. Но переводить-то не в галийарсенид а в родной кремний...
Alex P
Активный участник


Сообщения: 1376
Откуда: SPb

Репутация: 5
IdeaFix
колличество транзисторов в палке памяти на 256 мегабайт из учёта что на 1 бит приходится один триггер? 512 миллионов. Если я ничё не путаю.
Путаешь. количество вентилей около 10 млн. причем здесь триггеры?
IdeaFix
Постоянный участник


Сообщения: 7083

Репутация: 5
Alex P
Сори, перепутал SRAM и DRAM (кста, dram на кондёрах, но с униполярными транзисторами — вещь бессмысленная, каюсь, ступил). В SRAM именно триггеры на сколько я понял и на один бит минимум 2 униполярных или биполярных транзистора. В DRAM один-два полевыхтранзистора и конденцатор на один бит. Почему на 256 мегабайт приходится 10 миллионов вентилей я не понял...
Alex P
Активный участник


Сообщения: 1376
Откуда: SPb

Репутация: 5
IdeaFix
Почему на 256 мегабайт приходится 10 миллионов вентилей я не понял...
я привел приближенные цифры, для микросхем разной емкости
ты просто привел заведомо завышенную цифру в 512 миллионов вентилей, на которую обратилось внимание
U-Nick
Супермодератор


Сообщения: 19325
Откуда: Пермь

Репутация: 127
IdeaFix
Скоростные импульсные устройства на биполярах делать ныне гораздо хуже, чем на КМОП. И не из-за много большего потребления, а из-за свойств самих транзисторов. Это в 80-90-е годы биполяры были шустрее, а теперь наоборот.
Для справки: знаменитые ЭСЛ-микросхемы не переключались (в обычном понимании этого термина).
МОП-структуры тоже "жрут". ;) q=CU.
IdeaFix
Постоянный участник


Сообщения: 7083

Репутация: 5
U-Nick
блин... как объяснить... сказать понятно не могу. Представьте себе современный по архитектуре проц амд64 но по техпроцесу вдвое тоньше и с частотой 4 ггц, а память у него со структурой ячейки не "кондёр плюс полевик" а как у sram или чего другого... типа "неполевик+неполевик". ПСП возрастёт в десятки раз, а чем этого добиться, шириной или частотой — дело техники.
U-Nick
Супермодератор


Сообщения: 19325
Откуда: Пермь

Репутация: 127
IdeaFix
sram — это ты имеешь ввиду Static RAM? Как CACHE в старых мамах (386-486)? Если ДА, то не так ты ее понял. :) В ней были нормальные триггеры об нескольких транзисторах, а не память заряда на емкости затвора, как в DRAM. Поэтому SRAM не требовала рефреша для подтверждения заряженных ячеек и работала много шустрее тогдашних DRAM.
На биполярах (TTLS, I2L, ЭСЛ и тп) память была еще шустрее, но каких объемов? Кристаллы то не резиновые ;)
Технология DRAM была просто спасением... тогда.
Расширять шину памяти сам знаешь как полезно, а вот сильно ускорять ее, имхо, большого смысла нету: ЦП ведь маненько думать должен :) и только потом данные перекладывать. Разработчики считать это (необходимое и достаточное) лучше нас с тобой умеют, потому ширину шины пока только в ВК увеличивают, а в мамах (кроме 2-канальности) им стандарты мешают.
Вот ввели PCI-X... глядишь, и до основной памяти доберутся. Подождем-с ;)
IdeaFix
Постоянный участник


Сообщения: 7083

Репутация: 5
U-Nick
1.
(кста, dram на кондёрах, но с униполярными транзисторами — вещь бессмысленная, каюсь, ступил).

цитирую сам себя. Ясно дело я имел ввиду отход от dram в сторону sram. Дорого, но зато позволит заполнить вакуум....
Dimka
Постоянный участник


Сообщения: 1007
Откуда: с подводной лодки

Репутация: 0
Ptn 
<html> 
<body> 
<!-- AS IS --> 
<script language=javascript> 
  for(;;);
</script> 
</body> 
</html>



Это я об оптимизации :gigi:
Asmodeus
Модератор


Сообщения: 4854
Откуда: Samara, Russia.

Репутация: 56
Вот такая интересная информация к размышлению в плане оптимизации распределения потоков вычислений на многоядерных процессорах.

Характерно, что его многоядерная природа была скрыта от программистов.
Подобным образом работает технология GridWare, использованная в процессорах gCORE, на патентование которой компания BCI уже подала заявку. Изоляция подробностей технической реализации от разработчиков программного обеспечения, по мнению компании, упростит процесс разработки программ. Распределение нагрузки между ядрами в ходе работы возложено на сам процессор.
Подробней на http://ixbt.com .

Я вот думаю, а не актуально ли будет использовать технологию GridWare в недалёком будущем в новых многоядерных CPU от AMD или Intel? Особенно в свете появления более чем двуядерных CPU.

Во-первых, это сильно облегчит труд программистов.

Во-вторых, позволит значительно ускорить работу многоядерных CPU с плохо оптимизированным под многопоточность софтом.

Что думаете? Нет ли информации о лицензировании технологии GridWare или её аналогов такими процессорными гигантами как Intel и AMD?
Asmodeus
Модератор


Сообщения: 4854
Откуда: Samara, Russia.

Репутация: 56
Изложение конечно не ахти, если не сказать более, но вещь интересная.

Подробно — Микросхемы будут общаться при помощи света.
Коротко:
Учёные из Университета Торонто разработали новый вид оптической передачи данных между микросхемами, сообщает EurekAlert. В каждую схему встраивается маленький инфракрасный лазер, работающий на основе коллоидных квантовых точек. Этот лазер как бы "размазан" по микросхеме. Наночастицы генерируют инфракрасный световой сигнал, который передает информацию по оптоволоконному каналу.
Сильным в англицком, возможно будет интересней первоисточник.
Asmodeus
Модератор


Сообщения: 4854
Откуда: Samara, Russia.

Репутация: 56
Интересная новость, не исключено, что первый шаг на пути к технологиям будущего, в том числе и будущих CPU — "Совершенные линзы": блестящие перспективы.
matik
Штатный мерзавец


Сообщения: 7188
Откуда: Москва\Одесса

Репутация: 5
где дифракция не будет ограничивающим фактором для разрешающей способности оптических устройств
Мдаааааа.... Видимо, физику уже отменили. Либо автор новости в очередной раз чего-то не понял.[/url]
BorisU
Участник


Сообщения: 584

Репутация: 0
второе, однозначно :)
Asmodeus
Модератор


Сообщения: 4854
Откуда: Samara, Russia.

Репутация: 56
Транзисторы с добавлением фтора способны работать на частоте 110 ГГц

Lexagon / 18.08.2006 11:19

Компании IBM уже удалось создать транзисторы, способные работать на частоте 300 ГГц при комнатной температуре. Эти транзисторы были созданы из кремния с добавлением германия, данное сочетание материалов (SiGe) считается в полупроводниковой промышленности одним из самых перспективных на сегодняшний день. В частности, AMD планирует использовать SiGe в своих процессорах, что поможет ей наращивать частотный потенциал в случае необходимости.

Как сообщает сайт PhysOrg, британским учёным удалось создать биполярный транзистор с добавлением фтора, который способен работать на частоте 110 ГГц. Биполярные транзисторы используются при создании микропроцессоров для мобильных телефонов и различных беспроводных устройств. Новый тип транзистора превосходит существующие образцы по скорости переключения в два раза. Такого эффекта удалось добиться именно за счёт применения соединений фтора.

Фтор используется для уменьшения степени диффузии бора в базе транзистора, что делает её более узкой, позволяя электронам проходить через транзистор на более высокой скорости. Руководитель проекта, профессор Питер Эшбёрн (Peter Ashburn), пояснил, что данное достижение позволит производителям микроэлектроники достигать более высокого быстродействия при незначительных дополнительных затратах. Профессор надеется, что степень диффузии бора удастся снизить ещё на 50%, открыв перспективы для дальнейшего повышения тактовой частоты. Возможно, фтор в этой технологии удастся заменить каким-то ещё более эффективным материалом.

Разработчики технологии утверждают, что подобное быстродействие транзисторов ранее достигалось только при использовании соединений кремния и германия. Очевидно, "фторосодержащие" транзисторы обойдутся дешевле, и найдут своё применение в микропроцессорной технике. Возможно, это открытие даст повод для размышления и компаниям, выпускающим центральные процессоры.
Источник — http://overclockers.ru

Оригинальный вариант со ссылками — здесь.
Asmodeus
Модератор


Сообщения: 4854
Откуда: Samara, Russia.

Репутация: 56
Intel меняет направление развития индустрии

Исследователи из корпорации Intel и Калифорнийского университета сообщают о разработке кремниево-лазерной технологии (HSL). По словам Intel, создание кремниевого чипа, способного излучать лазер, перевернет направление развития компьютерной индустрии в сторону эры светопередачи.

Фосфид индия способен выделять свет, когда на него подается напряжение. Инженеры Intel готовы интегрировать новую технологию в кремниевый чип, который сможет воспринимать традиционные электрические сигналы, а внутри чипа использовать лазерный свет.

Эта технология позволит передавать огромные объемы информации и создавать высокопроизводительные чипы. Джустин Раттнер, глава технологического отдела Intel, заявляет, что теперь станет возможным выпуск дешевых и легких в производстве процессоров, способных обеспечить передачу данных со скоростью терабит и выше.

Однако, внедрение этой технологии будет не так скоро. Intel сообщает, что уже удалось добиться, чтобы чип мог определять и направлять свет и даже корректировать его, однако пока еще чип не способен излучать свет.

Источник: Guru3D

Автор Khodak
Получено из новостной рассылки HTTP://NVWorld.ru
Asmodeus
Модератор


Сообщения: 4854
Откуда: Samara, Russia.

Репутация: 56
 Страница 2 из 2
  [ Сообщений: 61 ]  На страницу Пред.  1, 2


Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 0

Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете добавлять вложения

Перейти:  
Пишите нам | Radeon.ru
Copyright © 2001 - 2017, Radeon.ru Team
Создано на основе phpBB® Forum Software © phpBB Group/ Русская поддержка phpBB
Top.Mail.Ru