Конференция работает на сервере Netberg

Radeon.ru

Конференция Radeon.ru

Страница 1 из 2 [ Сообщений: 41 ]  Версия для печати [+] На страницу 1, 2  След.
Показать сообщения за  Поле сортировки  
Такая тема: Имеется 4 модуля DDR400 PC3200 SAMSUNG PN: M3 68L6523CUS-CCC, SN: 06016FFE (серийники различаются на 1 знак), произведённых на 56 неделе 2005 года.

Сейчас они (одна пара) работают на частоте 245(490) MHz с таймингами 1T-3-3-3-6 на напряжении 2.8V.

Вопрос: если я им сделаю пассивное охлаждение (сейчас их темпиратура под нагрузкой в закрытом корпусе 45-50 градусов, в комнате 25) и подниму напругу на 3 или 3.3 вольта то они не погорят? Как вообще гонится эта (90нм) память? Есть ли какая-то статистика?
Как поведут себя 4 модуля при разгоне? Система: мать — Asus A8N-SLI Premium, процы — Athlon64 3200+ (245*10, mem=cpu/10), Athlon 64 X2 3800+ (300*8 mem=cpu/10).

Задача следующая: догнатьп амять хотябы до 260 мегагерц без ослабления таймингов. Компьютеры используются для решения задач, скорость которых слильно зависит отс корости памяти.
..вобщем... сделал проц одноядерный как 290*10 (вольтаж 1.535), память как CPU/12 с таймингами 1-3-3-3-6 — работает, работает быстрее чем 250*10 и память цпу/10.

С дуалкорником нинаю чё делать, гонится он слабо (гы-гы 2700 мегагерц), вернее, память на нём быстрее трудно заставить работать.... буду думать дальше
взял 4x512 DUS-CCC 626

мать gb-ik1100 875p (комп #1 в инфо)

-в сингле (только с одной установленной линейкой) комп попросту не стартует.
-в двухканалке заводится и с 2-мя и с 4-мя линейками и работает на 200мгц 2.5-3-3-5, но нестабильно пока не увеличил напругу на +0.1V (тоже и с таймингами 3-3-3-8)
-по разгону (что с 2-мя так и с 4-мя планками) стабильно в XPени под нагрузкой заработала так
215мгц 2.5-3-3-6 +pat +0.1V
222мгц 3-3-3-8 +pat +0.1V
хотя testmem проходит без поднятия напруги
221мгц 2.5-3-3-6 +pat
235мгц 3-3-3-8 +pat

разгон видимо уперся в контролер памяти (попробую еще погонять без PAT).

Еще такой прикол 2x512(SS) UCCC не уживаются ни с 2x256(SS) TCCC ни с 2x256(SS) Кингстон (mosel), материнка попросту не стартует.
SergK
PAT не препятствует разгону, так что можете не отключать.
А если хотите нормально разогнать, то напряжение на памяти надо повышать до 2,85 вольт, а на модули памяти ставить радиаторы + повышать тайменги. ;)
P.S. 4 модуля памяти всегда гонятся хуже, чем 2. :spy:
По мониторингу в Евересте напруга на памяти 2.86V (это с добавкой +0.1V и в spd 2.5V), хотя показания есно могут не соответствовать, попробую приподнять на +0.2V от дефолта, с Кинстоном при дефолте 2.6V показания были 2.92V.

Радиаторы на эту память вроде как ни к чему, под нагрузкой чуть теплая, на Кинстоне у меня стояли радиаторы потому как грелся.

Что интересно и при 2-х и при 4-x планках эта память гонится одинакого (с 4-мя даже на пару мгц выше, но это можно списать на погрешность), просто был выбор либо ставить 2x1024(DS), либо 4x512(SS), остановился на втором варианте потому что при отказе одной из планок временно можно работать на 2-x, а 1x1024 UCCC также не стартует как и 1x512 UCCC, да и большой разницы вроде как и нет, забиты ли банки при 2xDS — 0 1 или при 4xSS — 0 2.

А вообше да, с той же TCCC 4x256(SS) разгон был конечно хуже чем с 2x256(SS), так же и с Mosel, и разгон при 2x256 упирался в двухканалке в 215 3-3-3-8, в одноканалке в 237 3-3-3-8, поднятие напруги и таймингов сутуацию особо не меняло.
SergK
напряжения надо цифровым мультиметром мерить, а не "еверестом". :gigi:
напряжение и частота на памяти низкие, потому и не греется.
Конечно промерю, даже самому интересно. :)
Просто в корпусе добраться пока проблематично, а с другой памятью давненько промерял — показания с датчика завышаются на 0.06-0.07V от реальной.
sergey2400
uccc не переносит овервольт и отжиг!

SergK
1. Подьём напряжения выше чем до 2.7 вольт ничего не наёт.
2. на клокерах есть отличная тема по поводу разгона самсунговской (не TCCD) памяти.. так вот, в ней очень красочно люди описывают последствия отжига.. советую найти и почитать.
3. cl2.5 на этой памяти работает хреновенько... лучше взять своё мегагерцами чем таймингами, в той же теме на клокерах куча тому подтверждений.
4. эта память как ни странно греется (напр в prime95).

Имею щас 2 палки по 512 метров uccc, на 3-3-3-7-1T выжимаю мегагерц 260, напруга 2.7 по биосу (2.75 по мультиметру). Память выбиралась из тонны подобных модулей. Обычно, средний разгон в двухканале — ддр430-460. В той же теме на клокерах есть статистика (в начале темы фак).
IdeaFix
Давай уж начнём с того, что Samsung вообще плохо гонится. ;)
Для разгона лучше Hynix D43 брать, вот их я прилично разгонял, аж до 500MHz, правда с огромедными тайменгами, при напряжении 2,85в, и радиаторы Thermaltake на модули ставил.
На клокерах заранее почитал темки...

Поднял напругу от дефолта на +0.2V (сильно не пинайте но пока не мерил), разгон улучшило — все же ревизия D с подьемом напруги гониться получше, при этом также и в 1CH стала запускаться (на +0.1V нестартовала).

В итоге 4x512 237 3-3-3-7 +pat +0.2V 2CH стабильно (память почти не греется), дальше уперся в проц — хотя для нортвуда d1 3.8ггц достаточно неплохо на 1.6V да и дальнейшее увеличение напруги на проц толку не дает, а память стартует и на 245.

зы: Hynix ctp-d43 выше 210 2.5-3-3-8 непошел как и Corsair на corsair-чипах — потому на uccc и остановился.
sergey2400

Давай уж начнём с того, что Samsung вообще плохо гонится.

1. Простите, но это провокация :) Между прочим TCCD — тоже самсунг... а DDR600 бывает Winbond bhde5 да Samsung TCCD.
2. Samsung uccc — память, построенная по 90нм техпроцессу, её гнать надо иначе до 460-480 мегагерц пара 512мб модулей разгоняется всегда с таймингами 3-3-3-7 и напругой 2.7 вольт (и более 50 градусов не греется). Другое дело что выше 480 мегагерц — это только путём отбора, а вот с cl2.5 а темболее cl2 беда. Но, как показывают тесты, кас латенс не так сильно влияет на производительность как частоты... именно на гнусмасе.

у и на правах антирекламы... даже такие фанаты hynix как fr@me умудряются выжать из него лишь на мегагерц больше чем из самсунга :) да и d43 (как и bhde-5, как и tccd и пр.) почти не осталось... на смену tccc пришёл uccc а на смену d43 (это целое семейство) пришёл cpt43 (маркируется как d43 но память совсем другая).

SergK кстати, hunix ctp-d43 (имхо, он всётаки cpt, или путаю?) вапще очень негонимая память. Одна из самых негонимых.
Промерил напругу, :).
при +0.2V реально Vdd-2.83 (с 1-ноги tsop, на дросселе 2.84), при дефолте соотв. подается 2.63V.
Самое смешное — d-uccc пару дней поработала на 2.83V, а сейчас перевел на 2.63V и ... работает также те же частоты на тех же таймингах и в сингле пускается — вот такая млин обкатка...
SergK да не обкатка это, у меня ревизия С не отожглась ни на мегагерц, с ревизией Д та же фигня. Просто для максимального и даже экстремального разгона этой памяти ни вольтей ни охлаждения не надо... 510 мегагерц на ней просто не взять, а на 480 (в 2-х палках) почти любая заработает на 3-3-3-7 при 2.7 вольт. Самсунг новый нельзя хуниксовыми методами гнать.
IdeaFix

Да, это точно не обкатка была...

На незапуск 1-ой планки сказался включеный гигабайтный "Top perfomance" — на ik1100 напруга задиралась до 2.94V и тайминги на auto выставлялись в 2.5-3-2-5, но на не запуск влияла именно напруга, потом он был есно отключен да и перед тем как поставить на 2.63V бивис ресетнул.
SergK просто существует такое расплывчатое и с не очень ясной физикой понятие "отжиг". Это когда память (процессор и др.) сначала разгоняют до предела и разогревают повышенными напряжениями и burn тестами некоторое продолжительное время, после чего потолок разгона увеличивается. Так вот, в случае с hynix'ом современным это просто ебсполезно, а в случае с современным самсунгом даже опасно.
Предыдущие плашки были 4x512 SS D-UCCC 626 (чипы 625).

Вообщем плашки 2x1024 D-UCCC 703 (чипы 701) и некоторые отличия.

-при 2.73v под SnM прогреваются уже прилично, 512-е синглы были холоднее на 2.93v, эти же стабильны и при 2.63v.

-CpC потерял на дефолте при любых таймингах (SnM 3-й тест 1-2 ошибки), при включении CpC в MemSet-е в разных тестах очень незначительно но снижаются результаты.

-на 200-ах держат тайминги 2-2-3-5, tRP=3 критично ( при tRP=2 bsod сразу).

Потолок плашек глянуть не на чем...
SergK имею аналогичные плашки... в количестве двух штук догоняю до 249 мегагерц с 1Т-3-3-3-7 при 2.65 вольт, в количестве четырёх штук максимум 230 мегагерц :(
Более 2.7 вольт давать смысла нет, спалить риск есть, а разгон не растёт :)
Да, Cas менее чем на 2.5 не ставил — не встаёт. надо будет на номинале 2-3-2-6 глянуть...
IdeaFix
Да я сам удивился когда в MemSet CL=2 поставил (бивис есно не дает) и погрел — стабильны.
А вот Ras#Precharge ниже 3-х никак.
SergK у меня бивис дал, правда не загрузилось на 200 мегагерц... а на 166 пашет.
IdeaFix
Похоже MemSet 3.0/3.2 только видимость создает при переключении CL с 2.5 на 2 (возможно это касается только 865/875 чипсетов), проги определяют что CL=2 а фактически разница по тестам незаметна, вот между 2.5 и 3 и по другим таймингам различие видно...
Попробовал на другой 865pe мамке (бивис дает выставить CL=2) — как уже и ожидал, при старте делитель для памяти сам переключился... ну там бивис так отрабатывает.
Заметил в продаже планки ревизии H, H-UCCC.
Пока только на 512m ...HUN-CCC (707 чипы), кто-нить пробовал?, полезу на днях шит гляну.
Щас вкладываться в ддр1 особого смысла не вижу... когда буду апгрейдиться, то старый комп целиком (мама, память, проц, видео) жене уйдёт... ей на пятых героев и офис хватит :) А по поводу новой памяти... эхх... как бы не аналог ctp-d43 (с полной утилизацией и без разгона), товарищ взял пару на 512 метров, вкупе с бартоном 2500@222*11 не завелась в синхроне, а до этого пара на 256 метров винбондов была...
Поставил недавно Samsung 2x1024, и вот что странно — на номинальных таймингах (3-3-3-8) дают сбои во всех тестах, а на пониженных (2.5-3-3-6) стабильность 100%. Возможно латентность этих чипов настолько низкая, что даже номинальные задержки для них высоки. Или может быть есть какое-либо другое объяснение?
Маркировка на самих чипах:
"SAMSUNG 713"
"K4H510838D-UCCC"
стикер:
"PC3200U-30331-E0 1GB DDR PC3200 CL3"
"M368L2923DUN-CCC 0714"
DRDOS
Странно, сообщество сошлось на мнении что наоборот, CL ниже трёх для этих модулей не желательна. Как показывает практика, на этих модулях проще взять частотой чем таймингами... Хотя, контроллер памяти второго нфорса — вещь удивительная, вернее, удивляющая :) Кстати, овервольт строго противопоказан. Более 2.7 вольта давать не стоит.
Да, у жены щас пара по 512 модулей односторонних cus-uccc на 333 мегагерца отлично пашет как 2-2-2-6... а на моём nfirce 4 те же модули в таком режиме (что с 1Т, что с 2Т) отказываются фунциклировать.. другой контроллер памяти. Да, напряжения провереным ультиком, дело не в них.
Действительно странно. А недавно заметил такое — сразу после включения компа и загрузки WinXP ни один тест на стабильность не проходит, но минут через 10 все становится стабильно, все тесты проходит, хоть сутки тестируй ошибок нет. При следующем включении снова так же. Т.е. видимо ей еще прогреться надо, только потом она начинает нормально работать. Странно, как тогда WinXP загружается без бсодов.
Надоела мне эта петрушка, надо было Hynix CTP брать. После "взрыва" Самсунга в CHIP-CD (05.2002) на 8K3A+ вообще игнорировал память Самсунг, а сейчас повелся на низкое энергопотребление и 90нм.
На счет овервольта, какие симптомы наблюдаются после того как овервольт приводит к соответствующим последствиям? На мои не похоже? Просто я думаю в Санрайзе (покупал там) с ней могли побаловаться))), либо кто-то манибэк сделал после неудачного разгона, память то в OEM поставляется. Если это симптомы после овервольта, тогда надо мне ее назад нести срочно, дабы она через некоторое время вообще не перестала работать.
Работает при напряжении 2.7В (как в SPD прописано).
Кстати, проверил, нормально держит тайминги 2.5-3-3-5, а 2.5-2-3-5 уже сбоит. Еще ниже пока не пробовал.
DRDOS

Т.е. видимо ей еще прогреться надо, только потом она начинает нормально работать

Я бы грешил на исправность системы питания оперативной памяти... которая распаяна на материнке. Насыщаемость кондёров и дросселей.

надо было Hynix CTP брать
угу, разгона никакого, зато безопасная утилизация :)

Работает при напряжении 2.7В
А у меня на наклейке и в SPD 2.6, а по даташиту на микросхемы памяти — 2.5. Но модули другие. А стаймнгнами... неоднократно обсуждалось что эта память не для высоких напруг и не низких таймингов...
IdeaFix

Я бы грешил на исправность системы питания оперативной памяти... которая распаяна на материнке. Насыщаемость кондёров и дросселей.
Значит сегодня это обязательно проверю на другой машине. Если так же будет, завтра пойду менять.

угу, разгона никакого, зато безопасная утилизация :)
Кстати, Samsung также безопасная для утилизации, в даташите указано, что U в обозначении UCCC как раз указывает на Lead Free.

А у меня на наклейке и в SPD 2.6, а по даташиту на микросхемы памяти — 2.5.

Видимо это ревизия C, у нее номинальное напряжение меньше, а моя — D. Хотя в даташите конкретных данных не увидел на счет 2.7В для ревизии D. Сейчас поставил принудительно 2.6В т.к. на стабильность это вообще никак не повлияло, только греется меньше.
Проблема решена. Все подробности в деталях расписаны на оверах в теме по мат.плате 8RDA3+ и ее модификациям. В общем, не следует вообще устанавливать модули памяти Samsung на мат.платы Epox EP-8RDA3+ и ее модификации, т.к. это может привести к появлению ошибок при работе памяти. Если же все-таки это произошло, в случае установки одного модуля Samsung, его следует устанавливать в самый дальний от процессора слот. В случае установки двух модулей Samsung, ближайший к процессору слот следует оставить пустым и вставлять второй модуль в средний слот (несмотря на то, что производитель рекомендует делать как раз наоборот), но это не всегда помогает. В крайнем случае, проблему решает поднятие напряжения на чипсете, при этом необходимо обеспечить между чипсетом и кулером нормальный теплопроводник, например КПТ8 (вместо жвачки, которая там по дефолту).
Память Samsung 512МБ скрин (140K) из Everest, показует параметр "Corsair Xpert" с разными значениями. мать ASUS на NForce2-Ultra.
Почитал на оверах про Память Corsair XPERT: узнайте всё, о чём думает ваша память. Но причем тут Samsung :confused: ?
MBear
Плашки Samsung original?
На текстолите надпись "Samsung" есть — если так то видимо Хто-то spd перелил... от Корсара.

У Корсара встречал только 1024m плашки на чипах UCCC, хотя никто не мешает сменить Ranks (байт 05h в spd) с 02h на 01h и залить в одностороннюю плашку на 512m.
SergK
память двух стороняя. я её юзеру принес, а он мне уже скрин выслал. так-сто на текстолит сейчас посмотреть немогу. но наклейка там была точно Sansung :gigi:
память куплена вроде как новая. знаю что тайменги совпадают с той что стоит в DIMM3, а она одностороняя.

может сфоткаю и выложу
MBear
Звиняюсь, скрин c коммуникатора открывать было лениво..., сейчас глянул.
Обычная Samsung HUN плашка, H-ревизии(H) UCCC(U) двухсторонняя(N) с родным spd...
Cтарый Эверест глюкануло, видимо в spd что-то "новое" для себя нашел и как смог так и показал, у мну раньше и не такое могли некоторые версии показать, например неизм. темпу в 88 град., :), Эверест 2007 всяку бяку из второй половины spd ужо не кажет, хотя плашки Н-ревизии в нем не глядел.
Стоит 3 планки по 512 Мb (M3 68L6523DUS-CCC)на 233 МНz (2.5-3-3-7-1) 2.8В — дальше мать не дает (NF3-250), СPU на той же шине (2,33 ГГц — А64 3000+) — работает нормально, дальше гнать не охота (грелка получается, особенно процессор глючить начинает, вернее датчик температуры срабатывает и мать пищать начинает), может к холодам до 250 подыму (3-3-3-9-1) 2.8В


Последний раз редактировалось VladKS 22:59 13.07.2007, всего редактировалось 1 раз.
VladKS для CG/C0 проца (у Вас ведь 754 сокет?) три банка памяти — это очень много.
да стоит 3 планки, хотел поднять до 2 Гб хотя бы, но не нашел односторонних по 1 Гб DDR-400 (предел по описанию) :(
VladKS На сколько я знаю, односторонней DDR-I более 512 MB нет.
Может они и есть, т.к. производители плат пишут объем до 2 Гб (1+0.5+0.5 или 1+1) на NF3-250, но до России не доходят (это надо смотреть на сайтах производителей памяти, того же Самсунга)
VladKS
...Может они и есть

Нет и не будет... по спецификации для DDR I.
Если интересно поищи доки:
-DDRI JEDEC spec.
-Intel spec. addendum for DDR333/266/200
-DDR400 Intel spec.
-pc1600 and pc2100 DDR SDRAM Unbuffered DIMM Design spec.

Потолок для x64 модуля — 1GB DS 16-ть чипов (64Mx8), или для x72 модуля — 1GB DS 18-ть чипов (64Mx8).

...т.к. производители плат пишут объем до 2 Гб (1+0.5+0.5...
1(DS)+0.5(SS)+0.5(SS)

...или 1+1) на NF3-250
1(DS)+1(DS)
пробовали ставить 1(DS)+0.5(SS)+0.5(SS) — мать пищит :eek:
VladKS Как именно пищит?!
Новая тема    Ответить  [ Сообщений: 41 ]  На страницу 1, 2  След.


Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: Google [Bot] и гости: 1


Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете добавлять вложения

Найти:
Перейти:  

Удалить cookies конференции

Пишите нам | Radeon.ru