Извиняюсь за такое кол-во вопросов Пишу в этот раздел т.к. вопрос не о практическом разгоне, а теоретический про м/с памяти.
Есть в/к с памятью SAMSUNG 5нс (TSOP-упаковка). Прочитал её даташит. Память этой серии бывает с временем доступа от 3.3 до 6 нс. Различие имеется только в таймингах и напряжениях Vdd и Vddq от 2.8~2.95 (для 3.3нс) до 2.5 В.
Значит вся память производится по одной технологии, а затем маркируется по тем или иным соображениям или по рузультатам тестов? И 3.3 нс память из них наименее разгоняемая (как и процы с высшими частотами в семействе)?
Собираюсь повысить напряжения Vdd и Vddq с 2.64 и 2.52 до 2.9~3 В и выставить тайминги от 3.3 или 3.6 нс памяти. Достижима ли частота 270-290МГц? Просто не верится, чтобы в одной технологической цепи разброс параметров изделий был настолько велик. Есть ли вообще необходимость повышать Vddq, т.к. есть Vref, которая должна быть равна 0.49~0,51Vddq?
В даташите на память есть такой тайминг: Row cycle time — tRC=10~15, а в утилитах его нет, также отсутствуют: Last data in to Read command — tCDLR, Col. address to Col. address — tCCD, Mode register set cycle time — tMRD, Auto precharge write recovery + Precharge — tDAL. Почему?
Тайминг tRRD в БИОСе почему-то занижен до 1, а по спецификации 2.
Ещё одна странность: В RaBit'е, открывая дамп БИОСа, видим значение тайминга Menory refresh rate — MemRR=17, а ATT показывает 23. Кто прав?